Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB200N6F3
STB200N6F3 Hakkında
STB200N6F3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilim (Vdss) ve 120A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.6mΩ maksimum açık durumda dirençle (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette gelmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 330W maksimum güç dağıtabilir. Motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 10V sürüş gerilimi ile tam açılma sağlanır ve 100nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok