Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB200N4F3
STB200N4F3 Hakkında
STB200N4F3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V Vdss değeri ile orta voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 120A sürekli dren akımı kapasitesi ve 4mΩ (80A, 10V'de) düşük RdsOn değeri ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında etkindir. 300W maksimum güç harcaması ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. D2PAK (TO-263) paketlemesi ile yüzey montajlı PCB uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok