Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB19NM65N
STB19NM65N Hakkında
STB19NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj dayanımı ve 15.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 270mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç dönüştürücülerinde uygulanır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 55nC gate charge ve 1900pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama kabiliyeti sağlar. Bileşen şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok