Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18NM80
STB18NM80 Hakkında
STB18NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj (Vdss) ve 17A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 295mOhm on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge değeri 70nC ile düşük kapasitif yük özellikleri, hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok