Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18NM60N
STB18NM60N Hakkında
STB18NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 13A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, güç dönüştürme ve anahtar uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan transistör, 10V kapı gerilimiyle 285mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 110W maksimum güç disipasiyon kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle AC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. 35nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok