Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB18N65M5

STB18N65M5 Hakkında

STB18N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 15A sürekli drain akımı ve 110W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 220mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Gate eşik gerilimi 5V, maksimum gate gerilimi ±25V'dur. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrolü ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 31nC gate charge ve 1240pF input kapasitansı hızlı switching işlemleri mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok