Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18N60M6
STB18N60M6 Hakkında
STB18N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate şarj değeri 16.8nC ve input kapasitansi 650pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, enerji dönüştürme devreleri, invertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 110W güç disipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok