Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18N60M2
STB18N60M2 Hakkında
STB18N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 13A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel güç uygulamalarında yer alır. 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 110W maksimum güç dağıtımı özelliği ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, şebeke frekansında ve yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 791 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok