Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18N60DM2
STB18N60DM2 Hakkında
STB18N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli drenaj akımı ve 295mΩ maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. 90W maksimum güç dağıtabilme kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±25V maksimum kapı gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahip olan transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. Düşük input kapasitansı (800pF @ 100V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok