Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB18N55M5
STB18N55M5 Hakkında
STB18N55M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 550V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir. Maksimum 110W güç kaybı toleransı ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, ac/dc güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. 192mΩ on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -25V ile +25V arasında gate-source gerilimi toleransına sahiptir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok