Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB185N55F3

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB185N55F3

STB185N55F3 Hakkında

STB185N55F3, STMicroelectronics tarafından üretilen 55V 120A kapasiteli N-channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.5mΩ (60A, 10V) drain-source direnci ile düşük kayıp sağlar. 100nC gate charge ve 6800pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işlem yapabilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok