Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB15NM60ND
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB15NM60ND
STB15NM60ND Hakkında
STB15NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 14A sürekli Drain akımı (Id) ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar sağlar. 125W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel güç kaynakları, SMPS devreleri, motor kontrol ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 299mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları ve verimli çalışma sağlar. ±25V gate gerilimi aralığında çalışır, 5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok