Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB15NM60N
STB15NM60N Hakkında
STB15NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltaj ve 14A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, Rds(on) değeri 299mOhm (10V, 7A) ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde etkin performans sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termik stres altında çalışabilen tasarımlar için uygundur. Gate Charge 37nC ve Input Capacitance 1250pF değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok