Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB155N3H6

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB155N3H6

STB155N3H6 Hakkında

STB155N3H6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 3mΩ maksimum on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 110W güç saçabilir. Gate kapasitesi 3650pF, gate yükü ise 62nC'dir. Güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. Kısa gate gecikmesi ve düşük parazitik kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemleri gerekli olan uygulamalara uygun kılmaktadır. Not: Ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok