Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB150N3LH6

MOSFET N CH 30V 80A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB150N3LH6

STB150N3LH6 Hakkında

STB150N3LH6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 3mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş kaybını sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maks 110W güç tüketimi kapasitesi yüksek akım uygulamalarında etkin ısı yönetimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok