Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB14NM65N

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB14NM65N

STB14NM65N Hakkında

STB14NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında maksimum 380mOhm on-state direnci gösterir. 125W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve elektrik şebekesi denetleme sistemlerinde kullanılır. ±25V maksimum gate-source voltajı ve 4V eşik gerilimi ile düşük güç tüketimi sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Note: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok