Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB14N80K5
STB14N80K5 Hakkında
STB14N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürü geriliminde 445mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 130W güç dağıtımı yapabilen bu MOSFET, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 22nC gate charge ve 620pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 445mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok