Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB13NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB13NM50N
STB13NM50N-1 Hakkında
STB13NM50N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnci (320mOhm @ 6A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığı ve 100W güç dağılımı yetenekleri ile DC-DC konvertörleri, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±25V maksimum geyt-kaynak voltajı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. Kısa iyileştirme zamanları ve düşük kapasite özellikleri hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok