Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB13NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB13NM50N
STB13NM50N Hakkında
STB13NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 320mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 100W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok