Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB13N80K5
STB13N80K5 Hakkında
STB13N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V/12A N-channel MOSFET transistörüdür. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 450mΩ maksimum Rds(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. 29nC gate charge ve 870pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüşüm devreleri ve yüksek voltaj inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 190W maksimum güç dissipasyonuna dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok