Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB13N60M2
STB13N60M2 Hakkında
STB13N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 11A drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 380mΩ on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Endüstriyel güç denetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 110W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok