Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB12NM60N
STB12NM60N Hakkında
STB12NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/10A N-Channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 10V kapı voltajında 410mΩ açık direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 30.5nC kapı yükü ve 960pF giriş kapasitansı ile hızlı komutasyon özellikleri sunar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 90W güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok