Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB12NM50T4
STB12NM50T4 Hakkında
STB12NM50T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source voltajına ve 12A sürekli drain akımına sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile röle sürücüleri, güç kaynakları, DC/DC konvertörleri, motor kontrol devresi ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun, 160W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. ±30V gate-source voltaj aralığında güvenli bir şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok