Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB12NM50ND
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB12NM50ND
STB12NM50ND Hakkında
STB12NM50ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 380mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) ile güç kaybını sınırlandırır. 30nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±25V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. 100W güç disipasyonu kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uyygundur. Ürün şu anda kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok