Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB12NM50N
STB12NM50N Hakkında
STB12NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100W güç tüketebilir. 10V gate sürüş voltajında 380mΩ on-direnci ile karakterizedir. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanır. Yüksek voltaj uygulamaları, güç anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. ±25V maksimum gate-source voltajı ve 4V eşik voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok