Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB12NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB12NK80ZT4

STB12NK80ZT4 Hakkında

STB12NK80ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 10.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D2PAK yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji tasarrufu sağlayan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrol, inverter ve yüksek voltaj dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 190W maksimum güç yayılımı kapasitesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir bir çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok