Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB120NF10T4
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB120NF10T4
STB120NF10T4 Hakkında
STB120NF10T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 110A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 10.5mOhm maksimum gate-source direnci (Rds On) sayesinde düşük ısıl kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 312W maksimum güç dağılımı kapasitesi, otoomotiv ve ağır endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok