Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB120N4F6

STB120N4F6 Hakkında

STB120N4F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. TO-263 (D²PAK) paketinde sunulan bu transistör, düşük on-dirençi (Rds On) değeri sayesinde anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynakları ve invertör tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 110W'a kadar güç yayabilme kapasitesine sahiptir. 10V kapı sürücü gerilimi ile kontrol edilir ve 65nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok