Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB11NM80T4
STB11NM80T4 Hakkında
STB11NM80T4, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı ve 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. ±30V gate voltaj kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. Yüksek voltajlı anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, şarj kontrol sistemleri ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 43.6nC gate charge ve 1630pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok