Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB11NM60N
STB11NM60N-1 Hakkında
STB11NM60N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C işletme sıcaklığı, ±25V maksimum gate gerilimi ve 31nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok