Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB11NM60FDT4
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB11NM60FD
STB11NM60FDT4 Hakkında
STB11NM60FDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, SMPS devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 450mΩ (10V, 5.5A'de) olan RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maximum 160W güç saçabilme kapasitesi ile ısıl yönetimi gerektiren sistemlerde tercih edilir. ±30V gate voltajı ve 5V threshold voltajı ile standart kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok