Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB11NM60-1
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB11NM60
STB11NM60-1 Hakkında
STB11NM60-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. I²Pak (TO-262) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 450mOhm maksimum on-state direnci ve 30nC gate yükü, düşük güç kaybı ile verimli çalışma sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok