Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB11NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB11NK50Z

STB11NK50ZT4 Hakkında

STB11NK50ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 520mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 125W maksimum güç tüketiminde çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama regülatörü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok