Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB11N65M5
STB11N65M5 Hakkında
STB11N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 9A sürekli drain akımı ve 480mOhm maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarda kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 85W güç dağıtabilir. Gate threshold voltajı 5V'dir. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±25V maksimum gate-source voltajı ile esnek sürücü devre tasarımı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 644 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok