Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB10NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB10NK60ZT

STB10NK60ZT4 Hakkında

STB10NK60ZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, 750mΩ (10V, 4.5A) maksimum on-direnci ile verimli performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta olup, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 70nC gate charge ve düşük input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok