Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB10NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB10NK60Z
STB10NK60Z-1 Hakkında
STB10NK60Z-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. TO-262-3 (I²PAK) paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 750mOhm on-direnci (Rds On) ile güç kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 115W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Güç kaynakları, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve switched-mode güç kaynakları (SMPS) gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok