Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB10N65K3
STB10N65K3 Hakkında
STB10N65K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V yüksek voltaj dayanımı ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyguntur. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve yüksek voltajlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 42nC gate charge ve 1180pF input kapasitansi hızlı anahtarlama performansı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok