Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB10LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB10LN80K5
STB10LN80K5 Hakkında
STB10LN80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarına uygundur. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 630mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, güç kaynakları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 110W maksimum güç dağılımı kapasitesi, yüksek frekanslı DC-DC konvertörleri ve SMPS (Switch Mode Power Supply) devrelerinde tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 427 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok