Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB100NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB100NH02LT

STB100NH02LT4 Hakkında

STB100NH02LT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source gerilimi ile maksimum 60A sürekli dren akımı sağlayabilir. D²Pak (TO-263-3) SMD paketinde sunulur. 6mOhm maksimum on-direnç (10V gate geriliminde 30A akımda) ile düşük güç kaybı ve verimli çalışma sağlar. Gate eşik gerilimi 1.8V olup, ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır. 100W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok