Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB100N10F7
STB100N10F7 Hakkında
STB100N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8mΩ (10V, 40A koşullarında) düşük on-resistance değeri sayesinde ısı kaybı ve güç tüketimi minimalize edilir. 150W maksimum güç dissipasyonu ile motor kontrol, güç kaynakları, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4369 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok