Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSW7N60BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSW7N60BTM
SSW7N60BTM Hakkında
SSW7N60BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç özellikleri taşır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. İnverter, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj denetim sistemlerinde uygulanır. 50nC gate charge ve 1800pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok