Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSW4N60BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSW4N60BTM
SSW4N60BTM Hakkında
SSW4N60BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 25°C'de 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 2.5Ω RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate eşik gerilimi 4V @ 250µA, maksimum gate gerilimi ±30V'tur. 29nC @ 10V gate yükü ve 920pF @ 25V input kapasitanslı tasarımı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtar uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok