Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSW2N60BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSW2N60BTM
SSW2N60BTM Hakkında
SSW2N60BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 5Ohm maksimum drain-source direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. ±30V gate gerilimi aralığı ve 17nC gate yükü karakteristikleri kontrol devrelerine uyumlu tasarım imkanı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 54W (soğutma sıcaklığında) güç yayabileceği için iletişim, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. TO-263-3 D²Pak kasa türü ile yüzey montajı yapılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok