Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSU1N60BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSU1N60BTU
SSU1N60BTU Hakkında
SSU1N60BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V Drain-Source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 12Ω maksimum RDS(On) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan SSU1N60BTU, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, aydınlatma sistemleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 2.5W(Ta) / 28W(Tc) güç dağılım kapasitesi ile düşük kaybı yüksek verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 450mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok