Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSU1N50BTU
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSU1N50BTU
SSU1N50BTU Hakkında
SSU1N50BTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 520V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanıma uygundur. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 5.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek gerilim dönüştürücüler gibi uygulamalarda çalışır. 26W (Tc) maksimum güç tüketimine ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Not olarak, bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 520 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok