Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSU1N50BTU
1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSU1N50BTU
SSU1N50BTU Hakkında
SSU1N50BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 520V Drain-Source gerilimi ve 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.3Ω maksimum on-direnci ile verimlı anahtarlama sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde monte edilen bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 26W (Tc) güç disipasyon kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 11nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 520 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 650mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok