Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SSS4N60BT

TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3PIN(3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SSS4N60BT

SSS4N60BT Hakkında

SSS4N60BT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 2.5Ω on-direnç (10V kapıda) ile verimli güç işleme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SSS4N60BT, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yer almaktadır. 33W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan bu bileşen, 29nC kapı yükü ve 920pF giriş kapasitansi özelliklerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok