Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSS1N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSS1N60B
SSS1N60B Hakkında
SSS1N60B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj derecelendirilmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 through-hole pakette sunulan bileşen, 1A sürekli drain akımı ve 12Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 17W güç yayılım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, bu transistörü zorlu ortamlar için uygun hale getirir. 7.7nC gate charge ve 215pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 17W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok