Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSS10N60B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSS10N60B
SSS10N60B Hakkında
SSS10N60B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 800mOhm maksimum on-direnç, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok