Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SSR4N60BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SSR4N60BTM
SSR4N60BTM Hakkında
SSR4N60BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve elektrik yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok